峰形對(duì)稱性的優(yōu)劣對(duì)峰面積和分離度有很大的影響，從而影響分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。
引起峰形異常的因素很多，柱外死體積引起峰形異常有個(gè)特點(diǎn)：對(duì)先出的峰影響大，對(duì)后出峰影響??；柱頭塌陷、柱頭和篩板污染會(huì)引起所有的峰形都異常，而硅醇基次級(jí)保留只引起部分峰拖尾。相塌陷除了引起保留下降外，也會(huì)造成峰拖尾。
色譜實(shí)踐中，大部分的峰形問題都不是色譜柱的問題，儀器參數(shù)設(shè)定、色譜條件和方法正確與否對(duì)峰形有很大影響。
1. 峰后拖
常見的3種拖尾情況：
次級(jí)保留引起峰拖尾的機(jī)理解析：
反相色譜中，通常非極性和弱極性的化合物能獲得良好的峰形，而帶有－COOH、－NH2、－NHR、－NR2等極性基團(tuán)的化合物則比較容易產(chǎn)生拖尾，原因是硅膠表面殘留硅羥基對(duì)極性和堿性樣品分子產(chǎn)生次級(jí)保留效應(yīng)。
反相填料表面有殘余的硅羥基，具有一定的酸性，其pKa約為4.5～4.7。根據(jù)電離規(guī)律，流動(dòng)相的pH－pKa>2即pH>6.7時(shí)，99％以上的硅羥基應(yīng)該是呈離子狀態(tài)的，即Si－O－ ，而pKa－pH>2即pH<2.5時(shí)，酸性環(huán)境抑制了硅羥基的電離，99％以上的硅羥基應(yīng)該是呈分子狀態(tài)的，即Si－OH，但其極性仍然存在，即Si－Oδ－Hδ＋。Si－Oδ－Hδ＋和－Si－O－對(duì)于極性化合物之間的作用力則是一種極性的靜電作用力，這種作用力比范德華力要強(qiáng)得多。同時(shí)，因?yàn)楣枘z表面鍵合了C18長(zhǎng)鏈，由于空間位阻作用，樣品分子中能接觸到殘余硅羥基的機(jī)會(huì)不多，只有少部分的分子才能與殘余硅羥基產(chǎn)生強(qiáng)的靜電作用而被推遲洗脫出來(lái)，產(chǎn)生后拖。拖尾嚴(yán)重的程度與樣品分子極性大小和殘余硅羥基的多少有著直接的關(guān)系。
上圖是填料表面的示意圖，完全硅羥化的硅膠表面硅羥基濃度為8μmol/m2，由于空間位阻的作用，通常與C18硅烷基發(fā)生反應(yīng)的僅達(dá)2～3.5μmol/m2，需要再用小分子的硅烷跟硅羥基反應(yīng)，如圖中的三甲基氯硅烷，使硅羥基中的氫變成了三甲基硅烷的一個(gè)惰性基團(tuán)。三甲基硅烷還是比氫原子大得多，還是不能將所有的殘余硅羥基的活性封閉掉。
相同的樣品在不同品牌的柱子上產(chǎn)生拖尾的嚴(yán)重性不同，從填料合成的角度而言就是鍵合密度是否高、封尾是否徹底，高密鍵合和徹底的封尾能顯著減少這種機(jī)會(huì)，獲得良好的峰形。
解決方案：
1先檢查樣品是否過載，由于樣品過載引起的峰形后拖不能通過改變色譜條件消除。如果發(fā)現(xiàn)過載，需降低進(jìn)樣量（包括進(jìn)樣體積或濃度），進(jìn)樣量越小，峰形越好，例子如頭孢尼西鈉的測(cè)定：
2） 調(diào)節(jié)流動(dòng)相pH
將流動(dòng)相的pH調(diào)至比弱酸pKa小2以上，比弱堿pKa大2以上，可有效抑制易離子化待測(cè)物的電離，從而取得良好峰形。例子如二甲基苯氧乙酸的測(cè)定：
堿性化合物中，甲胺的pKa為10.64，那么在pH< 8.64的時(shí)候它是完全呈離子態(tài)的， 那么pH在2.5~8.64時(shí)，特別是pH6.7～8.64時(shí)，此時(shí)甲胺和硅羥基均以離子狀態(tài)－NH3＋和Si－O－形式存在的，它們之間相互吸引的靜電作用導(dǎo)致后拖，這就是為什么很多堿性化合物在pH 7.0的條件下容易產(chǎn)生拖尾的原因。而很多色譜柱生產(chǎn)商也因此以阿米替林（含－N(CH3)2，堿性比－NH2強(qiáng)）在pH 7.0的條件下來(lái)評(píng)價(jià)和比較不同色譜柱之間的優(yōu)劣，該條件下的阿米替林的峰形越好說(shuō)明封尾越好。而在pH<2.5的條件下，也仍然后拖，是因?yàn)椋璑H3＋足夠強(qiáng)，即使硅羥基以分子狀態(tài)存在也仍能夠與Si－Oδ－Hδ＋中氧原子產(chǎn)生吸引作用，導(dǎo)致峰形拖尾。當(dāng)pH>12.64，大于pKa2以上時(shí)，甲胺完全以分子狀態(tài)形式存在，不會(huì)引起拖尾。
3）增加緩沖鹽或增大緩沖鹽的濃度：
流動(dòng)相中加入緩沖鹽，增強(qiáng)了流動(dòng)相的離子強(qiáng)度，在－NH3＋等極性基團(tuán)和硅羥基Si－O－之間存在著許多離子的干擾，減少了樣品分子與硅羥基之間相互接觸的機(jī)會(huì)，有助于削弱極性基團(tuán)與硅羥基之間的相互作用，改善峰形。這種適合于堿性較弱（如氨基的N原子與強(qiáng)吸電子基相連），或堿性很強(qiáng)，但在剛性結(jié)構(gòu)中，比較難以接近被C18長(zhǎng)鏈和封尾試劑覆蓋的硅羥基.
4）加入三乙胺、四丁基硫酸氫銨或辛烷磺酸鈉等
拖尾的產(chǎn)生是因?yàn)椋璑H2、－NHR、－NR2與硅羥基發(fā)生靜電作用引起的，那么阻礙它們之間靜電作用的途徑，應(yīng)該有兩種，一種是占據(jù)硅羥基這個(gè)作用位點(diǎn)，另一種是占據(jù)－NH2、－NHR、－NR2這個(gè)作用位點(diǎn)。
在流動(dòng)相中加入三乙胺，能顯著的改善峰形，消除拖尾，其作用是屏蔽硅羥基。三乙胺的pKa為11.09，在pH<11.09－2＝9.09的條件下是以離子狀態(tài)N＋H(CH2CH3)3的形式存在的，因此pH在2.5~8.64 硅羥基呈Si－O－離子態(tài)的情況下，N＋H(CH2CH3)3容易與Si－O－形成相對(duì)較強(qiáng)的靜電吸引力。
加入三乙胺改善峰形的時(shí)候，有兩點(diǎn)需要注意：1）三乙胺的堿性很強(qiáng)，加入三乙胺后流動(dòng)相的pH可能超出色譜柱的使用范圍，對(duì)色譜柱造成損傷。pH的改變也會(huì)導(dǎo)致出峰時(shí)間的顯著變化，可能引起的其它問題，建議流動(dòng)相中加入三乙胺后回調(diào)至未加入前的pH值。通常即使pH回調(diào)過后，由于三乙胺成為了固定相的一部分，保留時(shí)間也有較大變化；2）三乙胺在210nm處有比較強(qiáng)的吸收，如果液相方法中檢測(cè)波長(zhǎng)在210nm以下測(cè)定時(shí)需要謹(jǐn)慎使用。
四烷基季銨鹽（如四丁基硫酸氫銨、四丁基溴化銨、四丁基氫氧化銨等）在水中電離后，也形成了類似N＋H(CH2CH3)3的結(jié)構(gòu)N＋(CH2CH2CH2CH3)4 ，這種結(jié)構(gòu)也能有效的與Si－O－產(chǎn)生較強(qiáng)的靜電作用，阻止氨基與硅羥基的接觸，改善峰形。而且它還有一個(gè)不同于三乙胺的顯著特點(diǎn)是，它在低波長(zhǎng)范圍的吸收比三乙胺弱。
流動(dòng)相中加入辛烷磺酸鈉等烷基磺酸鹽離子對(duì)試劑也能很好的改善峰形，其作用機(jī)理與三乙胺和四丁基硫酸氫銨頗為不同，是通過與樣品分子的作用來(lái)阻止樣品分子與硅羥基的作用來(lái)改善峰形。
2．峰前拖
峰前拖發(fā)生的概率比較小，下面是三種前拖峰的表現(xiàn)形式：
造成前拖峰的原因有多種，我們可依次逐一排查：
1）樣品是否過載
降低進(jìn)樣濃度，看峰形是否有所改善。一般認(rèn)為峰高在100mAU左右比較合適，不至于因過載影響峰形。
2) 檢查是否是用流動(dòng)相溶解樣品
溶解樣品的溶劑（如純甲醇）洗脫能力比流動(dòng)相強(qiáng)會(huì)發(fā)生峰前拖。具體機(jī)理是：
正常的峰形應(yīng)該是樣品在色譜柱上均勻的前移的情況下得到的，濃度分布在整個(gè)通過色譜柱柱床的過程中任何時(shí)候都呈正態(tài)分布。樣品溶液進(jìn)樣后到達(dá)色譜柱時(shí)間很短，應(yīng)還未被流動(dòng)相充分稀釋，洗脫能力更強(qiáng)的樣品溶劑的局部存在，將使部分樣品被洗脫的速度加快，導(dǎo)致峰前拖。
3）增加流動(dòng)相中緩沖鹽的濃度
增加緩沖鹽濃度可以增大流動(dòng)相中的離子強(qiáng)度，減少因靜電的作用（有可能存在于樣品分子之間、也有可能存在于樣品分子與填料表面之間）引起的前拖。
4）流動(dòng)相中加入適量的四氫呋喃
往流動(dòng)相中加入少量的四氫呋喃有時(shí)可以改善峰形、增大分離度，很多色譜工作者都知道和使用，但其機(jī)理似乎少人提及。通常所加入的量在5％以內(nèi)即可，需要的時(shí)候可以加入更大的量.
5）升高柱溫的溫度
升溫有助于增加流動(dòng)相傳質(zhì)速率，減少因靜電作用引起的前拖，但溫度不宜太高，溫度太高容易損傷色譜柱，特別是含有離子對(duì)試劑的時(shí)候，最好不要超過40度。
3．其它峰形問題
裂峰：
柱頭污染和柱頭塌陷都會(huì)造成裂峰，最常見的原因是篩板上顆粒物堵塞樣品進(jìn)入色譜柱不均一，只需反沖色譜柱將顆粒物除掉就可解決。
